事件總覽：從2025年先進製程自給率僅8%、短缺率高達92%的窘境，到高盛最新報告預測2035年自給率將飆升至66%，中國半導體產業正以年均46%的產能增速，試圖在十年內翻轉全球晶片權力版圖。這場豪賭的關鍵，全壓在中芯國際逐年擴產與良率爬升的進度表上。
📅 2023年：華為突圍，7奈米的震撼彈
中國半導體自主化最戲劇性的一刻，莫過於中芯國際在美國先進設備出口管制嚴密封鎖下，硬是為華為智慧型手機擠出了7奈米級晶片。這顆晶片不只是一支手機的心臟，更像是在全球半導體產業的銅牆鐵壁上敲出一道裂縫。不過話說回來，當時業界都知道，那道裂縫背後的成本與良率，是難以量產的痛。
📅 2025年：8%自給率的現實骨感
根據高盛集團發布的最新報告，2025年中國7奈米及以下先進製程晶圓的本土供應比重，僅有慘澹的8%。換句話說，每十片先進晶圓，有超過九片得靠海外進口。這直接導致了高達92%的供應短缺率——這個數字不是警訊，是警鐘。有趣的是，同一份報告也揭示，中國半導體的「總體」生產自給率若以數量計算，其實已從2010年的38%爬升到2026年中的約70%。但這背後藏著一個陷阱：大量產能都塞在成熟製程，真正值錢、真正卡脖子的先進製程，依然得看別人的臉色。
📅 2026年：中芯國際的擴產元年
高盛假設中芯國際從這一年開始，每年將新增月產能3萬至5萬片先進製程晶圓，一路擴產到2031年。這數字聽起來很熱血，但得先釐清一個現實：中芯國際2026年的先進製程良率預估僅有23%。對比台積電在7奈米製程超過90%的良率，中芯每生產四片晶圓，就有三片是報廢品。這不僅是技術差距，更是成本的天塹。說真的，在良率沒有站穩50%之前，擴產的意義更多是「練兵」，而不是「打仗」。
📅 2028年至2030年：設備自主化的關鍵考驗
中國本土晶圓製造設備商的營收占比，預計從2026年的31%爬升至2028年的38%。這看起來是步步進逼，但曝光機依然是那顆最硬的石頭。荷蘭艾司摩爾的DUV曝光機仍是中國深紫外線製程的主力，而更高階的EUV極紫外線曝光機，則被美國出口管制卡得死死的。沒有EUV，就等於在7奈米以下的微細製程戰場上，連門票都拿不到。同一時間，中國最大DRAM廠長鑫儲存的月產能正從27萬片向44.7萬片（2028年）邁進，預計2030年達到66.5萬片，聲勢驚人。但高盛也直言，長鑫儲存在先進DRAM與HBM技術上仍落後三星、SK海力士一大截，EUV設備禁令同樣是它們的天花板。
📅 2035年：66%自給率的終局預測
高盛預估，到了這一年，中國7奈米及以下先進製程晶圓的月需求量將達到61.9萬片，而本土供應量則有望增加至41萬片。供需缺口從92%縮小到34%，自給率從8%翻上66%。但這個華麗數字的背後，藏著一個更現實的假設：中芯國際的良率必須從2026年的23%，一路爬到2030年的50%，再於2035年達到75%。也就是說，接下來的十年，中芯每年良率至少要進步5個百分點以上。這不是不可能，但在EUV設備被鎖死、先進封裝與材料技術仍有落差的現實下，這條路比想像中崎嶇得多。
編輯觀點：從產業面來看，高盛的這份報告與其說是預測，不如說是一份「中國半導體自主化的壓力測試表」。66%的自給率目標看似振奮，但真正的關鍵不在產能，而在良率與設備。沒有EUV，就沒有5奈米以下的量產門票；良率不到60%，成本結構就永遠無法與台積電、三星站在同一個擂台上。對一般人來說，這場競賽的結局不會在2035年寫下，而是在每一次EUV出口管制放鬆與否、每一次中芯良率突破的公告中，逐步揭曉。換個角度想，當中國砸下820億美元的年資本支出時，全球半導體設備商才是這波擴產潮下最確定的贏家——而台積電的先進製程領先優勢，短期內仍穩如泰山。
記憶體戰場的隱形變數：長鑫儲存的擴產與瓶頸
在先進邏輯晶片之外，記憶體領域的消長同樣值得關注。長鑫儲存目前在合肥有兩座、北京有一座12吋DRAM晶圓廠，每座月產能約10萬片。若上海、合肥及北京的新廠全面投產，總產能將比現在翻倍。高盛預估，長鑫儲存將在2028年滿足中國約50%的DRAM需求以及40%的高頻寬記憶體（HBM）需求。但這個「滿足」的背後，是技術落後的現實——特別是在HBM這個AI晶片的關鍵配角上，長鑫儲存與三星、SK海力士的差距，短期內難以逆轉。加上EUV設備禁令同樣卡住它們往更微細製程推進的腳步，高盛因此認為，三星與SK海力士在中國市場的業務空間依然穩固。這告訴我們一件事：中國的先進記憶體自主化，還有一段長夜要熬。
至今影響與未來展望
這份報告描繪的，其實是一個「兩速並進」的中國半導體圖像。在成熟製程與通用晶片領域，中國的產能擴張已是全球最大變數；但在先進製程與高附加價值產品上，它依然是一個巨大的進口市場。這種分裂的結構，將在未來十年持續主導全球半導體產業的投資決策與地緣政治角力。對台灣讀者來說，最該追蹤的不是2035年的終局預測，而是2026年到2030年間中芯國際良率的每一次公告——因為那才是這場十年豪賭的真正溫度計。當良率跨過50%的門檻，才是台積電真正該繃緊神經的時刻。在那之前，高盛的數字可以當作遠景，但不該被誤認為即將到來的現實。
半導體自主化從來不是一場百米衝刺，而是一場沒有終點的馬拉松。中國用十年時間把自給率從8%推向66%，這個目標本身就說明了它對「被卡脖子」的焦慮有多深。但焦慮歸焦慮，良率與設備的硬骨頭就擺在那裡。你覺得，當2035年來臨時，我們回頭看這份報告，會覺得它是一份精準的作戰地圖，還是一張過度樂觀的願望清單？
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
中國先進半導體自給率從8%提升到66%的關鍵假設是什麼？
關鍵假設在於中芯國際每年擴產3至5萬片月產能，且良率從2026年的23%逐步提升至2035年的75%，同時中國半導體年資本支出在2030年達到820億美元。
中芯國際與台積電在先進製程上的差距有多大？
台積電7奈米製程良率超過90%，而中芯國際2026年良率預估僅23%，即使到2035年目標也只有75%，且中芯缺乏EUV曝光機設備，在5奈米以下製程的競爭上仍有根本性落差。
美國出口管制對中國半導體自主化的最大影響是什麼？
最大的影響在於EUV極紫外線曝光機的取得完全受阻，這直接限制了中國在7奈米以下更微細製程的技術推進，也導致長鑫儲存等DRAM廠在先進記憶體與HBM技術上持續落後全球一線廠商。
中國半導體自給率提升對全球市場有什麼影響？
在成熟製程領域，中國產能擴張將加劇價格競爭；但在先進製程領域，短期內仍高度依賴進口，三星、SK海力士在中國記憶體市場的業務空間預估仍將穩固，台積電的先進製程領先地位短期內也不受動搖。
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