記憶體市場下半年持續受惠於 AI 需求帶動，DRAM 與 Flash 的漲價節奏卻呈現分歧。業界普遍認為，DRAM 供給缺口仍未改善，下半年合約價仍有望維持雙位數漲幅，特別是 DDR4 在第三季的漲勢可望超過三成。相比之下，NAND Flash 虽然需求依然堅挺，但價格漲幅已逐步進入高原期，第三季預估漲幅約一成多，短期內追漲力道不如 DRAM 明顯。
DRAM 漲勢未歇，DDR4 供應缺口難解
市場原先預期第三季 DRAM 合約價約季增 13% 至 18%，但 DDR4 的供需情況比預期更加緊張。企業與工控市場仍大量使用 DDR4，加上 DDR5 價格偏高，使得 DDR4 成為中低階 PC 或成本敏感應用的性價比選擇。Consumer DDR4 平台的生命週期也因此比市場預期更長。
CSP 業者為了確保供貨穩定，願意接受更高的價格，並洽談 1 至 2 年的長期供貨協議，進一步推升 DDR4 第三季的價格走揚。這些因素共同作用，使得 DRAM 的漲勢在下半年仍然強勁。
NAND Flash 進入高原整理期，漲幅放緩
尽管 AI 伺服器、企業級儲存及邊緣 AI 等新應用仍持續推升 NAND Flash 的需求，整體基本面並未轉弱，成熟型 Flash 包括 SLC/MLC NAND 及 NOR Flash 仍受惠於供給缺口，價格維持上漲趨勢。然而，若觀察整體 NAND 市場，包含 3D NAND、Client SSD 及 Enterprise SSD 等產品，漲幅已明顯收斂。
業者預期第三季 NAND Flash 的平均漲幅約為一成多，第四季也可能進一步放緩，價格可能逐漸進入高原整理階段。這意味著，NAND Flash 的漲價動能在短期內已經趨於平穩。
供應結構差異，DRAM 強於 Flash
目前記憶體市場仍維持 DRAM 強於 Flash 的格局。主要原因是 HBM、DDR5 及 LPDDR5X 等高階產品持續排擠成熟 DRAM 產能，使 DDR4 供給缺口短期難以補足。相較之下，Flash 虽然受到 AI 新增需求的支撐，供需結構相對健康，但供給彈性仍高於 DRAM，因此價格走勢趨於平穩。
從產業面來看，DRAM 供給缺口的持續存在使得其價格漲勢在下半年仍將維持強勁，而 NAND Flash 則可能因為供給彈性的增加而進入高原整理期。對投資者而言，關注 DRAM 相關業者的表現將是明智之選。
展望與影響
展望未來，DRAM 的漲勢預計將繼續支撐相關業者的營運表現。南亞科、華邦電、旺宏、群聯，以及威剛、創見、宇瞻、十銓、宜鼎等台股相關業者，有望受益於 DRAM 的強勁需求。然而，NAND Flash 的價格走勢趨於平穩，相關業者需謹慎管理庫存，以應對市場變化的挑戰。
如果您是投資者，不妨密切關注 DRAM 市場的動態，特別是 DDR4 的供需情況。對於 NAND Flash，則需留意其價格高原期可能帶來的影響，提前做好風險管理。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
DRAM 和 NAND Flash 的價格差異主要由哪些因素造成？
DRAM 和 NAND Flash 的價格差異主要由供給缺口和供給彈性造成。DRAM 供給缺口較大，且高階產品如 HBM、DDR5 等排擠成熟 DRAM 產能，使得 DRAM 供應緊張。而 NAND Flash 虽然需求堅挺，但供給彈性較高，因此價格漲幅趨於平穩。
DDR4 在第三季的漲勢為何比預期更強？
DDR4 在第三季的漲勢比預期更強主要是因為企業與工控市場仍大量使用 DDR4，加上 DDR5 價格偏高，使得 DDR4 成為中低階 PC 或成本敏感應用的性價比選擇。此外，CSP 業者為確保供貨穩定，願意接受更高的價格，並洽談長期供貨協議，進一步推升 DDR4 的價格。
NAND Flash 的價格何時可能走出高原期？
NAND Flash 的價格可能需要等到供給彈性降低或需求大幅增加才能走出高原期。目前預期第三季 NAND Flash 的平均漲幅約為一成多，第四季也可能進一步放緩，價格可能逐漸進入高原整理階段。
※ 此篇文章由 AI 改寫或生成，內容僅供參考，可能存在錯誤或不準確之處。
