一句話總結：三星跟SK海力士聯手在中國西安、大蓮砸錢擴充最先進NAND快閃記憶體產能，目標2027年前每月新增上看8萬片晶圓產出，AI伺服器對高階儲存晶片的胃口，比我們想像的還要大。
核心要點
- 三星西安X2產線從2026上半年開始轉進第9代V9 NAND，280層堆疊技術上線，每月可擠出4到5萬片晶圓的產能。
- 三星追加蝕刻設備投資，2027下半年啟動補強計畫，關鍵在於打深孔的精準度——層數疊越高，蝕刻就越要命。
- SK海力士大連二廠2026年第三季重啟設備投資，目標每月3萬片晶圓，預計2027上半年完成裝機。
- 大連廠是2020年收購英特爾NAND業務接手的資產，2022年動土後因景氣下行一度擱置，現在總算重新開機。
- 兩大韓廠2027年前在中國新增的NAND先進產能合計每月7到8萬片，這數字背後反映的是AI儲存需求的真實熱度。
半導體業界最近有個明顯的風向：韓國記憶體雙雄正在中國境內加快NAND快閃記憶體的產能布局，而且這次不只是「加減做」，是認真在轉進最先進製程。
三星電子從2026年上半年開始，已經在西安X2產線著手進行第9代V9 NAND的轉型投資。這款V9 NAND最大亮點是高達280層的堆疊技術，屬於目前業界最前端的產品線。根據內部規劃，這波轉型能為西安廠確保每月4萬到5萬片的產能。
不過三星顯然不滿足於只是轉進新世代。近期他們確定追加一波補強投資計畫，核心鎖定NAND製造過程中最關鍵的蝕刻製程設備。說白了，NAND就是把儲存單元一層一層往上疊，疊到幾百層之後，你得在晶圓上打出極深的通道孔讓電子可以移動——孔打不準，整顆晶片就廢了。這就是蝕刻技術在這波投資裡被高度關注的原因。
半導體業界人士透露，三星這波補強投資預計明年下半年啟動，相關設備採購訂單大概在2027年年底前會明朗。換句話說，西安廠的V9量產能力還會再往上拉一個台階。
另一頭，SK海力士也沒閒著。從2026年第三季開始，他們對中國大連二廠啟動了NAND產品世代提升的設備投資。業界討論的規模是每月3萬片晶圓左右。
大連廠的來歷值得一提——這是SK海力士2020年下半年收購英特爾NAND業務時接手的資產。2022年他們其實已經辦過大連二廠的動土儀式，準備擴產，但後來碰上記憶體景氣下行，設備裝機投資就被擱置了。如今市場回溫加上AI需求拉動，這項計畫終於重新動起來。
另一位業界知情人士指出，SK海力士打算在2027年上半年之前完成大連二廠每月3萬片規模的NAND設備裝機，核心製造設備包括蝕刻機台在內，預計從下個月起陸續進廠安裝。
如果把兩家韓廠的進度攤開來看：三星西安廠4到5萬片、SK海力士大連廠3萬片，加起來2027年前在中國新增的NAND先進產能至少每月7到8萬片。這數字背後的訊號很清楚——AI伺服器對高階儲存晶片的需求，不是慢慢增溫，是直線飆高。
編輯觀點：三星跟SK海力士同時在中國擴充NAND產能，表面上看似競爭，但更深層的意義是——全球最先進的儲存晶片生產，正把中國廠區當成重要的產能支撐點。話說回來，這兩家韓廠在中國生產的NAND，最終還是要面對美國半導體設備出口管制的陰影。蝕刻設備雖然不像EUV那麼敏感，但一旦製程往300層以上推進，設備升級的難度只會更高。對台灣的記憶體相關供應鏈來說，韓廠擴產帶動的設備、材料需求，反而可能是下一波機會。只是這個機會能持續多久，還是得看地緣政治的臉色。
說真的，記憶體產業的擴產決策從來不是喊喊口號就好。從建廠、裝機、驗證到真正量產，每一步都是燒錢的硬功夫。三星跟SK海力士敢在此時重押中國NAND產能，代表他們對AI帶動的儲存需求有相當確定的把握。
對一般讀者來說，這些「每月幾萬片晶圓」的數字可能很遙遠。但你可以這樣想：每一片晶圓切割下來的NAND晶片，最終會變成你手機、筆電、伺服器裡的儲存空間。當AI應用愈來愈普及，你手機裡的照片、影片、語音記錄只會愈來愈多，這些資料都需要地方放。韓廠現在擴的產能，其實就是在為兩年後你手上的裝置鋪路。
一句話結論
三星跟SK海力士2027年前將在中國NAND產能上追加每月近8萬片的最先進製程產出，AI儲存需求的真實熱度，比多數人想的還要滾燙。
你覺得這波NAND擴產，最後會讓固態硬碟降價有感，還是又被AI伺服器需求全部吃光？歡迎在下面留言分享你的看法。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
三星在中國西安廠的V9 NAND總產能會達到多少？
三星西安X2產線透過第9代V9 NAND轉型投資，目標確保每月4萬到5萬片晶圓的產能。
SK海力士大連二廠的設備投資何時完成？
SK海力士大連二廠預計在2027年上半年之前完成每月3萬片規模的NAND設備裝機。
為什麼兩大韓廠同時在中國擴充NAND產能？
主要原因在於AI伺服器等應用對最先進快閃記憶體的需求急遽增加，兩家業者必須提前布局以滿足市場訂單。
蝕刻製程在NAND生產中為什麼這麼關鍵？
NAND需要將儲存單元堆疊數百層，蝕刻技術負責在晶圓上精準打出極深的通道孔，影響晶片良率與性能表現。
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