近期市場傳出，台達電與全球功率半導體大廠英飛凌深化合作，雙方的合作範圍有望延伸至碳化矽（SiC）等關鍵功率元件。這一消息引發了市場對台達在下一代 AI 資料中心電力基礎設施布局的高度關注。
事實陳述
截至目前，台達尚未就相關市場傳聞作出回應，公司亦正值法說會前的緘默期。然而，市場普遍認為，此次合作將有助於台達在 800 V 高壓直流（HVDC）及固態變壓器（SST）等領域的技術布局。
隨著 AI 資料中心機櫃功率的不斷攀升，800 V HVDC 已成為新一代供電架構的主要發展方向，未來更將朝 SST 演進。碳化矽元件因其耐高壓、高效率及低損耗等特點，成為支撐這些技術的核心功率元件之一。
各方反應
英飛凌是全球主要功率半導體供應商之一，其產品線覆蓋矽（MOSFET）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等功率元件，廣泛應用於 AI 資料中心、工業自動化、再生能源及電動車等領域。隨著 AI 電力需求的快速增長，英飛凌積極投入高效率電源管理和高功率密度解決方案的開發。
去年，英飛凌宣布與台達共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（VPD）模組，結合英飛凌的 OptiMO MOSFET 晶片與嵌入式封裝技術，以及台達在電源模組設計與製造方面的專業能力，打造高效率、高功率密度的電源解決方案。
背景補充
值得注意的是，台達近年來一直在積極佈局 SST 技術。台達總裁張訓海在今年的 GTC 2026 上表示，公司早在過去便投入 SST 研發，除了目前積極推動 800 V 電源架構外，SST 預計最遲將於 2027 年迎來市場爆發。
市場普遍認為，若雙方合作進一步深化至碳化矽領域，將有助於台達在 SST 及下一代 AI 電力基礎設施所需的關鍵功率元件方面取得更大突破。
從產業面來看，台達電與英飛凌的合作不僅是兩家企業的強強聯手，更是全球電力電子技術進步的重要里程碑。碳化矽元件的應用將成為 AI 資料中心高效運行的關鍵，有望在 2027 年迎來市場爆發，值得業界高度關注。
面對未來的市場變局，台達電與英飛凌的合作能否成功推進碳化矽技術的商業化，仍需後續觀察。讀者不妨持續關注兩家公司未來的動態，以便及時掌握最新技術和市場趨勢。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
什麼是碳化矽（SiC）元件？
碳化矽（SiC）元件是一種具有耐高壓、高效率及低損耗特性的功率元件，適合應用於高壓直流（HVDC）及固態變壓器（SST）等領域。
台達電與英飛凌合作的重點是什麼？
台達電與英飛凌的合作重點在於共同開發高效率、高功率密度的電源解決方案，特別是在碳化矽（SiC）元件的應用上。
SST 是什麼？
SST（固態變壓器）是一種新型變壓器技術，具有更高的效率和更小的體積，適用於高功率密度的應用場景，如 AI 資料中心。
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